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TDI が高出力用途用、世界最初の半絶縁性AlN-on-SiC 4インチ基板を製造！ |
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SILVER SPRING, 米国MarylandのTechnologies and Devices International Inc (TDI)は本日、第 III族窒化物化合物半導体デバイス用に、世界最初の直径４インチ、AlNベースの半絶縁性基板の製造を発表した。 第III窒化物化合物半導体系には、窒化ガリウム（GaN）,窒化アルミニウム（AlN）,窒化インジウム(InN)、そしてそれらのアロイも含まれる。窒化ガリウムをベースとした半導体デバイスのマーケットは、2007年には少なくとも$5billion, 2009年には$7billlionと予測されている。
この新製品は高電子移動トランジスタ（ＨＥＭＴs）、また次世代の無線通信に向けての高周波高出力アンプを含む、超高出力のAlGaN/GaNデバイス向けの基板用途をターゲットとするもの。 またこの他にも、高出力青色LED, UVライトエミッター、LED,そしてレーザーダイオード（LD）等を用途としてターゲットとしている。 プロトタイプの製品は、導電性の４インチシリコンSIC基板上に約10ミクロン厚の単結晶AlN層を成長したもの。この特殊なAlN-on-SiC基板は、窒化ガリウムベースのデバイスに非常にマッチングの良い格子整合と熱伝導性を持っており、SiCのすぐれた熱導電性と非常に高い電気抵抗値を合わせ持つもの。 AlN層の厚みは信頼性のある絶縁性と高周波デバイスに必要な非常に低い漏洩電流を約束する。 窒化ガリウム ベース化合物半導体は、その基本的な材料特性から高出力、高周波に非常に優れたデバイスを作製することを可能にするが、適当な基板が無いことからGaNデバイスの開発と商業化が制約されている。 今までのところ、高出力GaNベースRFデバイスの製造には、３インチの高い熱導電率をもつ半絶縁性SIC基板だけがマーケットで入手可能であった。 今回の４インチウェハーの導入は、より大きい基板面積を利用する事により生産コストを大幅に削減ができるだけでなく、GaAs基板や他のRF半導体業界では標準サイズとなる４インチのデバイスプロセスラインをそのまま使用できるメリットをだすことができる。 “高出力GaNベースHEMTs向けの4インチ半絶縁性基板の開発には長い時間がかかったが、ナイトライドの業界、また特に我々のお客様に今回始めてAlN層を持つ4インチSIC基板のプロトタイプを作製したことをご連絡できることを非常にうれしく思います。 このプロトタイプの4” AlN on SICはTDI独自のストレスコントロール成長技術と、厚膜かつクラックの無いAlN層をデポジットするためにTDIが開発した結晶成長装置を使用することにより製造した。“と、TDIの社長であるVladimir Dmitrievは語った。 ”私たちのお客様は約3年前にTDIが最初の2インチA1N-on SiC基板を導入したときから（1年前には3インチのA1N-on SiC基板を導入している）、4インチの基板を製作することを要求していた。 この新製品を使用すれば、カスタマーは既存の4インチデバイス生産ラインをそのまま使用することが可能となり、これにより生産コストを下げ、GaNデバイスの商品化を早めることができるだろう。 2006年4th quarterの出荷に向けて、4インチのＡlＮ on SIC基板のパイロット生産を数ヶ月以内にスタートする予定です。“ Group III 窒化物化合半導体材料について 窒化物化合物半導体は最先端の無線コミュニケーション向けHEMT等の新しい世代向け電子デバイス用途に、また携帯電話、大型表示、ソリッドステート照明、大型記憶容量を持つ光学式記憶システム、その他多種の軍事用途向けのUV, LED, LD, そしてUV フォトディテクターといった新しい光電子デバイスのファブリケーションに使用されています。 TDIについて TDI社は、GaN, AlN,そしてInNを含む特別な化合物半導体の製造と開発を行っている。TDIは主に短波長のオプトエレクトロニクス、またRFパワーエレクトロニクス用途向けの多種の化合物半導体材料、とデバイスを開発してきている。 さらに詳細に関しては下記のlinkをご覧ください: http://www.compoundsemiconductor.net/articles/magazine/11/12/3/1 お問合わせ |
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